随着半导体工艺的持续演进,工艺中关键尺寸的不断减小,以及新材料的代入,导致漏电流的产生机制、晶粒生长方式等都会发生本质性的变化,进而导致可靠性测试中遇到的失效判断方式也会受到挑战。在金属电迁移测试中,发现“以阻值变化达到一定的百分比作为电迁移失效的判定标准”这种判定方法已无法满足先进工艺的需求,但是国际上目前还没有相应的最新标准。本文的目标是定义非常规失效模式的破坏型可靠性测试项目的失效判定方式。研究内容为破坏型可靠性测试项目金属电迁移(EM)测试中,出现多次跳变点时的根本原因、失效模型,并依此定义失效时间判断方式找出合理的理论模型,准确的定义破坏型可靠性测试项目,如金属电迁移(EM)测试的失效时间的判定方式。本文分别从可靠性原理、金属电迁移的基本概念、金属电迁移的失效判定方式的现状、金属电迁移的寿命模型,展现金属电迁移作为可靠性项目的基础知识。随后通过研究不同工艺下的EM电阻退化曲线,发现退化曲线上的不同特征点,针对这些特征点分别计算出失效时间,比较不同特征点的失效时间分布特性,并设计实验在退化曲线的特征点去进行失效分析。结合国际上的文献进而提出异常电阻退化曲线的原理,本文认为以第一跳变作为新的金属电迁移失效判断标准,更符合失效机理,在分析过程中也可以发现非正常电迁移失效的现象,更有利于进行准确的电迁移寿命评估。