【摘 要】
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随着集成电路技术进入纳米级,互连的温度效应日益显著,已成为影响集成电路设计最具挑战的问题之一。本文主要研究了纳米级互连的温度效应及其性能优化。在获得纳米级互连电阻
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随着集成电路技术进入纳米级,互连的温度效应日益显著,已成为影响集成电路设计最具挑战的问题之一。本文主要研究了纳米级互连的温度效应及其性能优化。在获得纳米级互连电阻、电容和电感等寄生参数后,针对互连结构中的顶层互连和其它互连层,文中分别建立了集成电路热传递模型,求出了互连线上的温度分布表达式,并在此基础上分析了与温度相关的互连线可靠性问题。由于互连功耗过大,互连线上温度过高,互连线可靠性下降,文中通过最大化综合考虑互连延时、互连功耗和带宽的品质因子,可以求得一个更低的缓冲器电源电压和更高的阈值电压来进行全局互连性能优化。研究结果表明,与传统的单电源电压和单阈值电压方法相比,双电压互连方法减小了互连功耗,降低了互连线电流密度和温度,提高了电路可靠性。
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