金属Cu具有优良导电导热性,在微电子封装行业中被广泛应用为基体材料,在微电子器件的钎焊过程中,Cu基焊点与钎料之间发生化学反应生成金属间化合物IMC（intermetallic compound）。在钎焊过程中经常会伴随IMC层过度生长,严重影响焊接接头性能,并降低焊接接头的可靠性。本课题针对IMC层过度生长问题,提出在钎焊回流过程使用连续稳定的IMC层作为扩散阻挡层。通过浸焊工艺制备Cu₅Zn₈扩散阻挡层,电沉积及热诱导工艺制备Ag₃Sn扩散阻挡层。并通过研究在不同钎焊工艺下,纯Sn钎料球在Cu,Cu₅Zn₈/Cu,Ag₃Sn/Cu基板上IMC的形貌演变及相关动力学机制,其主要结论如下:（1）通过预制Cu₅Zn₈,Ag₃Sn扩散阻挡层来抑制钎焊界面反应是可行的。在相同钎焊工艺条件下,纯Sn钎料在Cu₅Zn₈/Cu,Ag₃Sn/Cu上的IMC生长速率低于在普通Cu基板上的生长速率。（2）对于Cu₅Zn₈扩散阻挡层来说,在一定范围内,扩散阻挡层厚度越大,抑制IMC过度生长效果越好,通过微观形貌演变及动力学分析,由于Cu₅Zn₈扩散阻挡层的存在,从而减缓IMC的生长速率,抑制IMC的过度生长。（3）Ag₃Sn镀层的先后顺序影响钎焊过程IMC的生长。由于Cu与镀Sn界面处会先生成Cu₆Sn₅,先电镀Sn随后镀Ag制备的Ag₃Sn扩散阻挡层阻挡效果更好。