传统直拉单晶硅材料中杂质与缺陷的含量低，其太阳电池的转换效率高，但生产成本也较高；铸造多晶硅生产成本低，但其内部存在大量的晶界、位错和杂质，这些因素对铸造多晶硅太阳电池的性能有着重大的影响。铸造准单晶硅结合了直拉单晶硅与铸造多晶硅的优势，低于直拉单晶硅材料的生产成本，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，它的出现对光伏产业具有重要意义。本文利用GEMINI检测仪、傅里叶红外光谱仪、微波光电导衰减仪等仪器分别对铸造准单晶硅片的表面形貌，杂质及少子寿命进行了研究；利用腐蚀法对铸造准单晶硅中的缺陷形貌、分布特征进行了分析。研究结果表明，铸造准单晶硅片的表面形貌与其在硅锭中的位置有关。在硅锭中，与坩埚接触区域的硅片存在大量的微晶，形貌近似于多晶硅；硅锭中间区域的硅片，单个大晶粒所占面积可达99%，形貌类似于单晶硅。铸造准单晶硅中缺陷形貌种类较多。在硅锭中，大部分区域位错数量较少，与坩埚接触区域的位错密度较高，硅锭底部到顶部位错密度逐渐增加。铸造准单晶硅中间隙氧的含量从晶体的边缘到中心，底部到顶部逐渐降低；替位碳含量从硅锭底部到顶部逐渐增加。少子寿命分布状况受缺陷与杂质的影响，硅锭顶部、底部以及与坩埚接触部位寿命较低，硅锭中间部位寿命较高且分布均匀。鉴于铸造准单晶硅中缺陷与杂质的形貌及分布有其独有的特征，采用传统制绒工艺不能获得良好的绒面结构。通过对铸造准单晶硅片表面织构的研究，优化了制绒工艺，在硅片表面得到了理想的“金字塔”结构绒面，降低了可见光范围内的反射率。