Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。　　首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，以及紫外LED的结构、发光机理和亟待解决的研究难题。接着，介绍了紫外LED器件的模拟方法，包含半导体器件模拟的基本方程和相关物理模型，以及APSYS软件的文件结构、操作程序和常见的收敛困难原因。　　随后，我们围绕极化诱导掺杂方法展开研究，分别将恒定Al组分的p-AlGaN和n-AlGaN的Al组分改为0.6至0.4渐变，0.45至0.55渐变，模拟结果表明p型极化诱导掺杂能大幅提升紫外LED的输出性能，n型极化诱导掺杂带来的影响则相对较小一些。在能带结构上，可以发现极化诱导掺杂降低了价带弯曲的幅度，有益于空穴更好地注入。　　最后，我们把目光转向电子阻挡层(EBL)的优化上，以使用传统超晶格电子阻挡层的紫外LED为基准参考结构，重新构建了下降垒组分(DSB)、上升垒组分(ISB)、三角垒组分(TSB)的超晶格EBL结构，结果表明下降垒组分的输出性能最优;最终，我们找到了最优的垒层组分设置，沿生长方向分别为0.90、0.85、0.80、0.75、0.70、0.65。通过分析比较，我们认为新结构之所以能提高紫外LED器件的输出性能，主要的原因还是在于对能带结构进行了调控，对电子泄露有更强的抑制作用，且更利于空穴的注入。