【摘 要】
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经过近半个世纪的发展,半导体激光器在光电子器件和通讯领域内已经得到了广泛的研究和应用。对量子点和量子阱激光器材料的研究有助于半导体激光器性能的改善。低微纳米材料
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经过近半个世纪的发展,半导体激光器在光电子器件和通讯领域内已经得到了广泛的研究和应用。对量子点和量子阱激光器材料的研究有助于半导体激光器性能的改善。低微纳米材料尤其是量子点材料是当今国际研究的热点,受到广泛的关注与重视。本文主要利用MBE外延生长技术,对InAs/GaAs量子点的生长参数进行调节,从而制备出面密度为(1010cm-2)的InAs量子点。对InAs量子点进行荧光光谱实验,实验表明生长出InGaAs应变减小层的应变量子点材料的基态出射波长1.325μ m。研究发现,InGaAs应变减小层可以有效的减小InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温的情况下探测到较强的发光峰。
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