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(STO/YSZ/SDC)N超晶格电解质的制备及性能

被引量 : 0次 | 上传用户：qwm777

【摘 要】

：

采用脉冲激光沉积技术(PLD),将SrTiO_3(STO)、8 mol%Y_2O_3掺杂ZrO_2(YSZ)和Ce_(0.8)Sm _(0.2)O_(2-δ)(SDC)依次交迭沉积在MgO单晶片衬底上,在衬底温度分别为600、650、700和750℃下,制备四种(STO/YSZ/SDC)_2超晶格电解质薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM),X衍射图谱(XRD),X射线能谱仪(EDX),分析(STO/

【作 者】

：

贾晓静 

【机 构】

：

内蒙古大学

【发表日期】

：

2017年01期

【关键词】

：

超晶格 活化能 PLD 电导率 

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采用脉冲激光沉积技术(PLD),将SrTiO_3(STO)、8 mol%Y_2O_3掺杂ZrO_2(YSZ)和Ce_(0.8)Sm _(0.2)O_(2-δ)(SDC)依次交迭沉积在MgO单晶片衬底上,在衬底温度分别为600、650、700和750℃下,制备四种(STO/YSZ/SDC)_2超晶格电解质薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM),X衍射图谱(XRD),X射线能谱仪(EDX),分析(STO/YSZ/SDC)_2超晶格电解质薄膜的表面形貌,物相结构,以及成分和元素原子含量;采用Agilent42

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