与传统的封装工艺技术相比,低温共烧陶瓷(LTCC)技术因其具有优良的高频特性、小线宽和低阻抗而倍受瞩目,但其工艺过程复杂,容易造成缺陷。造成缺陷的影响因素很多,研究主要影响因素与缺陷的关系是准确控制工艺参数的基础,也是制造出高质量产品的重要前提。本文针对某种射频模块,运用理论分析与仿真实验相结合的方法对LTCC技术成型过程中的缺陷进行分析,建立成型缺陷主要影响因素与缺陷评价指标之间的关系模型,为工艺参数的优化打下基础,提高射频模块的成型质量。为此本文从以下几个方面进行了研究:(1)成型缺陷的仿真分析。根据试制样件中存在的缺陷问题,检测出四种主要成型缺陷:微通道变形、基板翘曲、层间垂直互联错位、共晶焊接空洞,通过理论分析,研究缺陷的形成机制。根据成型缺陷的形成环境,利用ANSYS Workbench软件完成对四种成型缺陷的有限元仿真分析。(2)成型缺陷影响因素分析。根据缺陷对样件成型质量和功能特性的影响程度,提取缺陷的尺寸特征、纹理特征、形状特征等,确定缺陷的目标函数。利用正交试验方法,完成多组工艺条件下的缺陷仿真分析,从各影响因素中提取成型缺陷的主要影响因素。(3)成型缺陷与工艺参数关系模型的建立。在识别出成型缺陷主要影响因素的基础上,进行多水平主要影响因素的正交试验,而其它次要影响因素选取对成型质量有利的值,基于响应面法以及麦夸特法,建立起成型缺陷目标函数与主要影响因素之间的关系模型。(4)关系模型准确性的实验验证。为确保建模方法和仿真结果的正确性,在不同的工艺条件下试制样件,利用相应的检测方法对成型缺陷进行检测。通过实验检测结果与模型理论计算结果相比较,表明仿真分析结果可以接受,关系模型的准确度优于80%。