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本文考虑了纤锌矿GaN和AlxGa1-xN构成的量子阱材料中电子(空穴)有效质量和光学声子模的各向异性以及声子频率随波矢变化的效应,采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法计算了纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子的基态能量和结合能以及纤锌矿GaN/AlN无限量子阱中激子的基态能量和结合能。给出了重空穴激子和轻空穴激子的基态能量和结合能随着量子阱宽度和组分变化的函数关系。并对闪锌矿和纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中重空穴激子的基态能量和结合能进行了对比。在以上的计算过程中,介电常数分别使用了静态介电常数和高频介电常数。计算结果表明,纤锌矿GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱材料中重空穴激子和轻空穴激子的基态能量和结合能随着量子阱宽度的增大而降低,在阱宽较小时急剧下降,阱宽较大时缓慢下降,最后接近于GaN体材料中的三维值。当阱宽较小时,无限深势阱中激子的基态能量和结合能量明显大于有限深势阱中的相应值;当阱宽较大时,这两种势阱中激子的基态能量和结合能量值趋于一致。数值计算的结果还表明,纤锌矿GaN/AlxGa1-xN有限深量子阱中激子的基态能量和结合能随着Al组分x(量子阱深度)的增大而逐渐增大,在窄阱(如4nm)中这一变化规律很明显,而在宽阱(如12nm)中这一变化规律非常缓慢。以上变化规律与电子和空穴在量子阱中受量子限制有关。研究结果还表明,电子-声子相互作用使激子的结合能明显降低(约降低10%-16%);重空穴激子的基态能量和结合能小于轻空穴激子的基态能量和结合能;纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子的基态能量低于闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子的基态能量,而纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子的结合能高于闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中激子的结合能;用ε0计算的基态能量明显高于用ε_∞计算的基态能量,而用ε0计算的结合能明显低于用ε∞计算的结合能;计算重空穴激子和轻空穴激子能量时的变分参数λ均随着量子阱宽度的增加而减小。。