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铜铟硫(CuInS_2)薄膜太阳电池由于具有高的转换效率、长期稳定性、无毒等优点而成为光伏界研究的热点。本论文主要是从高效低成本的角度出发,研究电池中的光吸收层的非真空制备工艺,以期能为CuInS_2薄膜太阳电池的大规模工业化生产奠定基础。具体工艺路线为:首先以共沉淀法制备铜铟的纳米硫化物混合粉末,然后以该混合粉末在氢气中退火得到的混合物为前驱物调制浆料并旋涂成膜,最后将预置膜在含有硫的气氛中退火得到具有单一黄铜矿结构的CuInS_2薄膜。在论文中,首先考察了共沉淀反应的pH值的变化对共