本论文以实验为基础,选择抗磁性纯铜板作为实验材料,分别实施不同条件的强磁场热处理。对热处理后的退火样品进行显微硬度,X-射线衍射(XRD),电子背散射衍射(EBSD)测试,通过与非磁场热处理样品的硬度、织构和微观组织进行对比,观察和分析在再结晶初期磁场对再结晶形核取向及形核位置的影响,及晶粒长大过程中磁场退火对样品微观组织与织构的影响,并结合强磁场对抗磁性材料晶体取向的作用特点,阐明磁场作用下纯铜板再结晶微观组织及晶体取向的演变规律。为观察形核阶段强磁场对冷轧纯铜板再结晶微观组织与织构的影响,将冷轧纯铜板分别在160℃、180℃及200℃条件下进行磁场和非磁场退火,保温时间为5min,磁场强度分别为0T与12T,磁场施加方向分别平行于样品的轧向和横向。磁场方向与轧向或横向平行时表现出相似的规律。(1)磁场退火样品的显微硬度明显要高于非磁场退火样品；磁场退火样品的再结晶百分含量均低于相应的非磁场退火样品：磁场退火样品差取向角在再结晶过程中的变化也慢于非磁场退火样品。这都说明强磁场阻碍了冷轧纯铜板再结晶的进程,且通过比较可知,磁场方向平行于样品横向时阻碍作用更强。磁场的这种阻碍作用,是由于磁自由能存在结构敏感性,为了维持体系自由能处于最低的状态而抑制再结晶。(2)磁场退火过程中织构类型的演变慢于非磁场退火；磁场与非磁场退火样品形核的晶粒主要为立方取向({001}<100>),优先形核的晶粒亦为{001}<100>取向,且磁场退火样品晶核的立方取向更强。说明磁场虽然阻碍了再结晶进程,却促进了形核阶段立方取向的形成和发展。(3)磁场与非磁场退火样品晶核的形核位置有相似规律,均在S取向({123}<634>)上形核,这是由于S取向形变基体具有较高的形变储能。(4)再结晶过程中∑3晶界出现频率逐渐增大,但磁场退火样品变化慢于非磁场退火样品,说明磁场抑制了∑3晶界的出现。为观察长大阶段强磁场退火对冷轧纯铜板的影响,将冷轧纯铜板在250℃条件下进行磁场和非磁场退火,保温时间分别为5min、30min及120min,磁场强度为0T与12T,磁场施加方向分别平行于样品的轧向和横向。在长大阶段,磁场方向平行于样品轧向或横向时,表现出相似的规律。(1)磁场退火样品显微硬度低于非磁场退火样品,晶粒长大更充分。(2)磁场促进了长大阶段立方取向的发展,且磁场方向平行于样品轧向时促进作用更强。磁场对立方取向的促进作用,是由于磁化率各向异性而导致的晶界附加驱动力不同。(3)磁场退火样品的∑3晶界出现频率低于非磁场退火样品,说明磁场抑制了∑3晶界的出现。