氧化物半导体材料种类繁多，针对它们的研究无论是在基础科学还是在技术应用中都有着重要的意义。在纳米材料中，一维纳米材料以独特的性质和广阔的应用前景而备受关注。制备出结构有序、性能优良的一维纳米氧化物材料、研究材料微观结构对它们性能的影响已成为氧化物半导体材料研究领域的热点。In₂O₃是一种宽禁带的直接带隙半导体材料，掺入Sn⁴⁺后具有优异的光电性能、良好的热稳定性、气敏性能和力学性能，使其作为基本构筑单元，在传感器、纳米光学和电学器件等方面显示出重要的应用价值。本文利用静电纺丝和高温煅烧，成功制备了掺锡氧化铟(In₂O₃: Sn⁴⁺, ITO)纳米纤维膜、ITO纳米纤维膜复合石英玻片和ITO纳米纤维膜复合石英光纤。利用热重分析（TG）、红外光谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等表征方法分析纳米纤维膜的热学性能、组成及形貌；通过四探针测试仪、亮度计、紫外-可见光及荧光分光光度计等测试技术评价样品的电学及光学特性，详细研究了热历程、掺Sn⁴⁺量、溶剂、基体等因素对样品形貌、结构以及光电性能的影响。通过溶胶-凝胶与静电纺丝技术相结合的方法，电纺混合溶胶来制备In₂O₃/聚乙烯吡咯烷酮（PVP）复合纤维，对其热学性能进行表征，确定高温煅烧工艺。通过静电纺丝和随后的高温煅烧（800oC），成功获得ITO纳米纤维，研究Sn⁴⁺掺杂量对纳米纤维形貌、结构、导电率及光致发光性的影响。溶剂性质会影响电纺纤维的形貌和结构。将PVP、In₂O₃和SnCl₄分别溶于高极性、高挥发性的水和较低极性、较低挥发性的N, N-二甲基甲酰胺（DMF），通过静电纺丝过程和高温煅烧，制得带状纤维（H₂O）和含有正八面体晶粒的圆形纤维（DMF）。分析溶剂极性、挥发性对静电纺丝过程的影响，探讨纤维的结构与其光致发光性的影响关系。分别以石英玻片和石英光纤为基体，通过静电纺丝技术制备ITO纳米纤维膜。通过XRD、FESEM、四探针电阻仪、紫外-可见光光谱和亮度色度计对ITO纤维膜复合光纤/玻片的结构、形貌和基本光电性能进行表征，初步探讨电纺纤维膜复合光纤的工艺可行性和潜在应用价值。