经过研发人员三十年的不懈努力,有机电致发光器件（OLED）光电性能已经达到现在无机半导体（如p-n发光二极管）发光器件的水准。但是,要达到active全色域等移动端的特殊应用场景（如战斗机头盔等）,器件的亮度、电流效率、寿命和稳定性等核心指标还需进一步提升。尤其是由于有机材料很容易与空气中的水和氧气发生反应,并且,其玻璃化温度比较低,导致其高温耐受性比较差,因此通过某种方式,提高器件的电流效率,减少器件的发热功耗,更成为提高器件稳定性和增加其使用寿命的常用手段。影响OLED发光效率其中重要原因之一是载流子不平衡注入。因此本论文通过提高载流子的注入能力来改善器件的性能,分别做了以下三项工作:利用旋涂成膜的方式将PEDOT:PSS旋涂在器件功能层,成功制备出结构为ITO/PEDOT:PSS（15 nm）/PFO（80 nm）/PEDOT:PSS（40 nm）/PFO（80 nm）/Al（70nm）的叠层有机电致发光器件。通过研究叠层器件的电流-电压（I-V）特性、电压-亮度（V-L）特性和电流-效率（I-E）特性发现:在未做任何特别优化的条件下,该叠层器件的启亮电压为12.3 V,启亮电流为1.39 u A。电流效率（3.97 cd/A）是单层对比器件电流效率的8倍。更为重要的是这种PEDOT:PSS新型叠层器件连接层既不需要高温蒸发镀膜也不需要掺杂。通过真空热蒸发法将廉价的氧化钼（Mo O₃）蒸镀到结构为ITO/Mo O₃（y nm）/NPB（60nm）/Alq₃（80nm）/Cs Cl（0.5nm）/Al（120nm）的有机电致发光器件。通过分析比较（y=1,3,5,7nm）四种不同厚度Mo O₃薄膜制作的器件的J-V和L-V等数据发现,当Mo O₃薄膜的厚度为5nm时,器件启亮电压仅为2.5V;当器件电压为9.25V时,得到最大亮度43580cd/m²。当电流密度为647.92m A/cm²时,器件最大电流效率6.73cd/A。器件的亮度和启亮电压性能同时达到最佳。与普通的标准器件相对比,本实验设计的器件电流效率和发光亮度分别是普通器件的3.3倍和4倍。采用真空蒸镀的方式将Fe蒸镀成膜,实现对空穴的自旋注入,制作了器件结构为ITO/Fe（0 1 2 3nm）/Mo O₃（5nm）/NPB（60nm）/Alq₃（80nm）/Cs Cl（0.5nm）/Al（120nm）的有机自旋电致发光器件,对器件的性能改善起到了大幅的积极作用。在未加磁场的条件下,当Fe薄膜厚度为2nm,偏压为9V时,器件的发光亮度达到48650cd/m²。相较于未掺杂器件亮度提升了25%。在磁场的调制下,未掺杂器件的磁电导（MC）、磁电致发光（MEL）先迅速增加后趋于饱和,而掺杂器件的MC、MEL随着磁场的增加一直处于增加未展现出饱和状态,且掺杂器件的MC值相较于未掺杂提升了近5倍,对于掺杂器件与未掺杂器件的差异可以归结于铁磁性金属对空穴自旋极化。在自旋-轨道耦合的作用下,导致三线态激子猝灭,单线态激子的产生率增加,使得器件的性能得到了提高。