1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器（BLM）方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线（VBL）对作为信息的载体，以VBL对的有无来体现信息的“1”和“0”。与磁泡存储器相比，BLM的存储密度大大提高。 硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的形成及其稳定性的研究，对布洛赫线存储器（BLM）的研制与使用具有重要意义。 本文首先采用系列脉冲“低偏场法”，在两类不同标称成分的样品上，研究了直流偏场、脉冲偏场以及脉冲宽度的大小对硬磁畴形成的影响； 其次，对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性进行了综合研究： （1） 在同一样品上，对非压缩状态下，三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性进行了综合研究。实验表明，非压缩状态下，OHB，ⅠD和ⅡD的畴壁中VBL都存在一个与材料参量有关的临界温度范围[T₀¹，T₀]，且三者畴壁中VBL开始丢失的临界温度T₀¹是相同的；而三者畴壁中VBL全部消失的温度T₀依次升高。（2） 在同一样品上，对非压缩状态下，三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线在温度和面内场共同作用下的稳定性进行了综合研究。研究表明，在非压缩状态下OHB，ⅠD和ⅡD在温度和面内场作用下，三者畴壁中VBL的解体都存在一个与温度有关的临界面内场范围[H_ip（T），H_ip（T）]；三者畴壁中VBL开始丢失的临界面内场依次增大，而三者畴壁中VBL完全丢失的临界面内场是相同的；且面内场范围[H_ip（T），H_ip（T）]随着温度的增加而减小；H_ip（T），H_ip（T）分别在T₀¹和T₀减小到零。（3） 研究了直流偏场和面内场共同作用下，第Ⅰ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性。实验表明，对处于直流偏场H_b压缩状态下的硬磁畴施加面内场时，存在一个阀值直流偏场（H_b）_th，如果H_b≤（H_b）_th，临界面内场H_ip和H_ip均与H_b无关；如果H_b＞（H_b）_th，石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性临界面内场H忿，和H罗随着H，的增加而减小。（4）研究了直流偏场和面内场共同作用第I类哑铃畴的条泡转变现象。实验表明，存在3个特征偏场（H，）。、（H。），和（H。）A，:H。到H。)*，条泡转变后的磁畴均为sBs;凡高于（风）*和（凡），，条泡转变后的磁畴中依次出现OHBs和IDs;H，高于（H，），，，条泡转变后的磁畴均为Ds;IDs的最小和最大条泡转变面内场(H户:b.min和(H户:b.ma、均随着H。的增加而减小;当H，<Hs，时，必须施加较高的H，，IDs才能发生条泡转变;此外，当H，>（H，）*时，H忿，<（H，）:b，min<（H，）:b，ma、<H罗。