MoSi₂／SiC复合材料因其具有优异的高温强度，抗氧化性，良好的热震性和耐腐蚀性而有望广泛应用于高温领域。但是由于MoSi₂/SiC复合材料的制备工艺复杂限制了该材料的应用。直接浸渗法制备MoSi₂／SiC复合材料时，具有工艺简单，浸渗时保持预型件形状和尺寸基本不变的独到优点，这对于该材料的实用化具有十分重要的理论和实际意义。 将C质坯体在1500℃左右制得RBSC（反应烧结SiC）材料，采用真空下1800℃脱除RBSC中的残余Si的方法，获得了多孔的SiC坯体，用MoSi₂在2050℃直接浸渗坯体得到了致密的MoSi₂／SiC复合材料。研究发现，由于熔渗体中Si的挥发速度快造成材料物相组成变化，熔渗体与SiC坯体反应析出Mo₅Si₃C、Mo₅Si₃相阻塞坯体毛细管，使烧结体中产生气孔。复合材料中MoSi₂相和SiC相的含量可以通过调整坯体的碳含量在较广泛的范围内调节，要获得可渗性良好的SiC坯体，原始坯体中碳含量必须低于临界值0.78 gcm^-3，碳含量越低排硅后获得的SiC坯体中的孔隙骨架越粗大，有利于MoSi₂浸渗。将排硅后的SiC坯体在1800℃长时间保温有利于去除SiC表面的SiO₂，提高复合材料的致密性。 另外，尝试了用MoSi₂在2050℃下浸渗直接由SiC粉体成型的坯体制备MoSi₂/SiC复合材料。采用SiC颗粒的级配有利于提高坯体密度，但是降低烧结体的致密度。SiC坯体的成型工艺对于烧结体的致密度无明显影响，但是坯体越均匀，MoSi₂相的分布越均匀。 文中研究了MoSi₂/SiC复合材料的室温力学性能和不同温度下的抗氧化性能。结果表明用直接浸渗法制备的MoSi₂／SiC的复合材料的室温强度和室温下的断裂韧性均高于热压MoSi₂材料。在900℃氧化时，因为MoO₃、CO、CO₂的挥发对氧化膜的破坏作用，无法在材料表面形成致密的SiO₂氧化层，在该温度下复合材料表现为失重。在1300；℃氧化时，材料表面形成了致密的SiO₂、Mo₅Si₃氧化层，复合材料先表现为失重，后表现为增重。