【摘 要】
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硅基顶发射器件的阳极要有导电率高,在可见光范围内吸收小,反射率大的特点,从这三个方面来看,Ag比较适合做硅基顶发射器件的阳极。但是Ag与有机物之间存在着偶极子势垒,且银
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硅基顶发射器件的阳极要有导电率高,在可见光范围内吸收小,反射率大的特点,从这三个方面来看,Ag比较适合做硅基顶发射器件的阳极。但是Ag与有机物之间存在着偶极子势垒,且银本身的功函数小,与NPB的HOMO能级存在较大的能级差。而氧化银费米能级在-4.8eV和-5.1eV的范围内,价带底刚好和NPB的HOMO能级匹配,使的Ag/Ag2O/NPB的空穴注入势垒远小于Ag/NPB。我们利用紫外臭氧氧化的方法,在银的表面生长薄的氧化银,制备了硅基顶发射有机电致发光器件,取得良好的效果.另外我们详细分析了Alq/Ag(20nm)/Alq(dnm)/air这个膜系的透射率的计算方法,并且利用计算机得到了膜系在不同Alq厚度下的透射率曲线。通过实验验证了计算的合理性,并且利用增透膜制备了高效率的顶发射器件,器件在低电压4V下的亮度为677cd/m2,效率达到了15cd/A,而且发光峰几乎不随测量的角度而改变,非常有利于在显示中的应用。
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