本工作采用等离子体增强化学气相沉积技术对Si衬底上沉积的氮化碳薄膜的过程进行了实验研究。以扫描电子显微镜（SEM）、能量色散X射线（EDX）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）等为技术手段，对薄膜形貌、成分、晶体结构、微观结构进行了分析和确定；研究了偏压和衬底温度等实验参量对氮化碳薄膜特性的影响；探讨了催化剂铁对氮化碳薄膜特性的影响。实验结果表明：放电偏压可以阻止薄膜中SiC的产生，衬底温度对氮化碳薄膜的相变起决定性作用。催化剂铁的引入可规则薄膜中CN晶粒形状、提高薄膜沉积速率和降低晶态氮化碳薄膜的衬底温度。 本工作还利用光学发射谱（OES）技术对直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积法生长氮化碳薄膜过程中的气相反应过程进行了研究，探讨了实验参数如气压、放电电流、氢气气源百分比等对等离子体内各主要活性粒子浓度及粒子间反应过程的影响。等离子体中各主要活性粒子浓度随气压增加而减小，随放电电流的变化趋势则相反，而在氢气气源浓度为5％时活性粒子浓度出现最大值。由此探讨了不同活性粒子的产生和消失机制，为薄膜生长机理的研究提供了参考数据。