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碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。但是当碳化硅应用到器件中时,金半接触即欧姆接触和肖特基接触的质量直接决定器件的性能和可靠性,因此SiC金半接触的研究具有重要意义。接触势垒是决定欧姆接触和肖特基接触的主要因素,通过对接触势垒的调整可以实现金半接触的特性改善。本文首先根据经典的金半接触势垒理论,结合4H-SiC的可靠研究参数,建立了金属/4H-SiC的势垒模型,通过该模型对4H-SiC金半接触的工艺改性提出理论指导,并可以结合测试技术对改性效果做出评价。该模型中明确了接触势垒和界面态密度之间的关系,发现在不同的金属功函数范围内,接触势垒随界面态密度的变化呈现出两种相反的趋势：在小于临界功函数范围内,势垒随界面态密度减小而减小,在大于临界功函数范围内,该变化趋势相反。我们利用能带图对此作出了定性的解释。利用氢等离子体处理4H-SiC的Si面,然后淀积Pt制作肖特基接触,在C面淀积Ti制作欧姆接触,采用I-V测试和XPS测试来分析样品的特性,并与未经处理的样品进行比较。I-V测试表明,经过氢等离子体处理表面后,Pt/4H-SiC的整流特性显著增强,计算发现,处理之后的接触势垒由未处理时的1.25V上升到了1.73V,结合Pt/4H-SiC势垒模型,发现界面态密度由1.2×1013cm-2eV-1降低到1.6×1012cm-1eV-1。XPS测试结果显示,经过氢等离子体处理表面后,Si2p结合能位置发生了移动,计算表明,表面态密度由2.6×1013cm-2eV-1降低到了1×1013cm-2eV-1。研究结果表面,氢等离子体处理是一种有效的SiC表面处理方法,能够通过降低表面态密度,实现对Pt/4H-SiC接触势垒的调节,从而改善接触的整流特性。