Co/Sn非补偿p-n共掺杂调控In2O3稀磁氧化物的局域结构与磁性

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【摘要】

：

本论文采用磁控溅射法,在SiO_2/Si(100)和超白玻璃基片上制备Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线吸收精细结构(XAFS),电阻温度曲线(R-T)、Hall效应、磁电阻(MR)、超导量子干涉仪(SQUID)、紫外-可见光吸收光谱(UV)等表征手段研究Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体,分析

【作者】

：

潘非

【机构】

：

天津理工大学

【发表日期】

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2017年01期

【关键词】

：

In2O3 稀磁半导体 p-n 共掺杂局域结构磁性

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