在绿色环保的呼声、各国无铅立法的压力和满足日益提高的性能要求等众多因素共同推动下,传统 SnPb 焊料必将逐渐淘汰,对无铅电子封装材料和技术的研究已经成为当前电子封装领域的重要课题之一。 本论文研究发现,经过多次回流后,界面 IMC 的明显增厚和剥离现象导致Sn3.5Ag0.5Cu/Ni 无铅凸点剪切强度明显下降。IMC 剥离的原因在于多次回流使压应力达到了临界值。多次回流过程界面反应中,界面中心和边缘区域的 Cu 富集程度差异造成 IMC 的组成成分不同进而导致了不同的 IMC 形貌。 Sn3.5Ag/Ni 和 Sn0.7Cu/Ni 两种无铅凸点在时效过程中,界面 IMC 厚度与时效时间的平方根成线性关系。SnAg/Ni 在长时间时效中的界面 IMC 生长比 SnCu/Ni 的要慢,原因在于 Ag3Sn 相使 IMC 界面能降低以及对晶界的钉扎作用抑制了 IMC 的生长。 加热因子对界面 IMC 的厚度和形貌有显著影响。Sn3.5Ag0.5Cu/Ni 非受限焊点界面 IMC 平均厚度随着加热因子的增加而呈指数增加。界面 IMC 的生长随加热因子增加可分为三个阶段。将加热因子控制在 800～1000sec?°C 对于生产效率的提高和界面可靠性来说是比较好的选择。 采用 Au 钉头凸点技术、激光直写导电浆料技术、丝网印刷技术,非焊料互连中的导电胶技术制作了 RFID 样品。提出芯片与天线基板的键合封装分为两个模块分别完成的思想并申请了国内实用新型专利。