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该论文采用双脉冲控电位技术,在p型单晶硅(111)面上电沉积了不同调制波长(λ)的Cu/Co纳米多层膜.扫描电镜(SEM)测试表明多层膜的层状结构清晰连续,各子层厚度均匀.采用X-射线衍射(XRD)分析了不同调制波长的多层膜的结构.研究表明调制波长为20~160nm时,镀层属外延生长,随调制波长的减小,外延生长的影响越来越明显.调制波长小于20nm时,XRD谱图主峰两侧出现卫星峰,表明多层膜形成超晶格结构.Cu、Co的沉积电位(φ<,Cu>、φ<,Co>)对多层膜生长取向有明显影响:随着φ<,Cu>负移,多层膜(111)面的取向系数(Tc)逐渐减小;随着φ<,Co>的负移,多层膜(111)面的Tc逐渐增大.当Co的沉积电位为-1.2V,铜的沉积电位为-0.50V,多层膜(111)面的Tc达到2.86,择优取向非常明显.采用四探针法测试了Cu/Co多层膜的巨磁阻(GMR)性能,考察了E、Cu层厚度(δ<,Cu>)、Co层厚度(δ<,Co>)、周期数及沉积电位对GMR性能的影响.采用双电流模型解释了多层膜出现GMR效应的原因,并结合磁滞回线结果对这一理论进行了初步的证明.