电子封装技术中微焊点尺寸逐渐变小,为微焊点的可靠性带来严峻考验。钎焊反应过程中微焊点界面生成金属间化合物（Intermetallic Compound,IMC）是实现钎料与凸点下金属层（Under Bump Metallization,UBM）可靠冶金互连的关键。但界面处IMC具有脆性的本质,将会降低微焊点的力学性能和可靠性,因此其厚度和形貌要得到有效的控制。在微焊点制造及服役过程中,焊点两侧温差易引起微焊点内形成温度梯度（Temperature Gradient,TG）,进而驱动金属原子发生定向扩散,并能引起元素的重新分布,即热迁移（Thermomigration,TM）,这将显著影响界面IMC的生长行为和微互连的可靠性。本论文以Cu/In-48Sn/Cu微焊点为研究对象,研究了平均温度为140℃、温度梯度为1200℃/cm以及平均温度为160℃、温度梯度为1200℃/cm条件下微焊点的热迁移行为和钎焊界面反应,并与对应温度下的钎焊界面反应进行对比,揭示等温回流和温度梯度下回流过程中界面IMC的生长演变,Cu、In原子热迁移方向以及IMC的动力学和柯肯达尔空洞形成的机理。研究结果如下:（1）初始Cu/In-48Sn/Cu微焊点两侧界面处均形成两种类型的IMC:Cu（In,Sn）2和Cu2（In,Sn）。钎料初始微观结构由两种相组成:富Sn的γ相InSn4和富In的β相In3Sn。两相在钎料中均匀分布,在钎料/IMC界面处未发生元素偏析现象。（2）140℃等温回流时,微焊点界面处也存在Cu（In,Sn）2和Cu2（In,Sn）两种IMC,且出现Cu（In,Sn）2 IMC向钎料中剥落的现象,生长动力学分析得出Cu（In,Sn）2相和Cu2（In,Sn）相的生长主要受晶界扩散控制。160℃等温回流时,由于Cu原子的扩散能力强于In、Sn原子,利于Cu原子和Cu（In,Sn）2反应生成Cu2（In,Sn）,界面IMC逐渐由初始的[Cu（In,Sn）2+Cu2（In,Sn）]转变为Cu2（In,Sn）,且其生长主要受体扩散控制;同时,由于Sn、In和Cu原子在细晶粒和粗晶粒Cu2（In,Sn）子层中均有不同的扩散通量,导致Cu2（In,Sn）IMC层中形成柯肯达尔空洞。（3）在两种温度梯度条件下回流后,微焊点两端界面均存在Cu（In,Sn）2和Cu2（In,Sn）两种IMC。温度梯度作用下,Cu和In原子由微焊点热端向冷端热迁移,导致两侧界面IMC呈现非对称性生长现象,即冷端IMC具有更大的厚度。回流后,微焊点界面处无富Sn相或富In相的偏析,两者仍均匀混合分布在钎料中。热迁移作用下,平均温度为140℃时冷、热端IMC生长主要受晶界扩散控制,而平均温度为160℃时冷端IMC生长主要受体扩散控制,热端主要受晶界扩散控制。