以 GaAs为代表的化合物半导体材料具有更大的禁带宽度和更快的电子迁移率，因此利用GaAs为基础制造的半导体激光器、量子点红外探测器、高效红外发光二极管和太阳能电池等，展现了广泛的应用前景。目前，制备纳米半导体结构的主要技术之一为分子束外延技术，其优势在于超高真空环境下可以精确控制生长材料的组分，使得人们可以在原子层面上精确控制量子结构。然而基于传统的应变自组装模式（SK模式）生长的量子结构因其成核位置随机，尺寸和密度较难控制，在实际应用中受到很多限制。因此在过去的二十多年中，液滴外延（droplet epitaxy，DE）因其生长材料的范围更广阔、容易实现对密度的控制并且可以生长新奇的纳米结构等特点，得到更加深入的研究。以液滴为基础的新型生长方法也得到了越来越多的应用，比如：液滴外延生长技术，表面等离子体基元，液滴自催化生长纳米线和液滴刻蚀制备模板等。然而目前针对液滴的研究大多是使其转化为所需纳米结构的生长动力学行为，而非研究液滴本身的动力学现象。所以本论文从液滴本身的生长、迁移、融合的动力学出发，基于分子束外延设备的超高真空环境，利用脉冲激光对生长了Ga滴的GaAs表面进行原位辐照，通过调整激光的能量密度和生长Ga滴的衬底温度来研究Ga滴对激光的敏感程度，并实现了对Ga滴的密度、尺寸以及分布特点的二次修饰，为实现人工可控生长的液滴外延技术提供了全新的技术方向。