铁性材料包括铁电材料、铁磁材料、反铁电材料和反铁磁材料等,它们作为功能材料被广泛应用于电容器、非易失存储器、储能元件和磁电耦合等领域。本论文以球差校正电子显微学为基础,以铁性序参量的测定为主线,首先分析了维纳滤波对铁电序参量测量的影响,而后测定了铁磁性La1-xSrxMn O3/Sr Ti O3薄膜体系纳米尺度的磁参数。接下来分析了反铁电铌酸银的微观结构,在此基础上给出了约化反铁电序参量的定义,并利用它研究了钽掺杂铌酸银体系的储能性能。现代电子显微学可定量测量铁电材料体系中的局域离子铁电位移,但图像处理中的滤波过程会在多大程度上影响测量结果目前尚无确定结论。我们结合定性分析和模拟实验论证了当所用参数合适时,维纳滤波不会降低非周期性位移的测量精度。具体的模拟实验表明,当非晶层厚度不超过4nm时,位移测量的平均相对长度偏差在12%以下,平均角度偏差在5°以内。EMCD技术是一种新型的基于电子显微学的磁性测量技术,其优点众多但磁矩分辨率还有待提高。通过充分考虑衍射动力学效应并优化数据处理过程,我们利用EMCD技术在纳米尺度上对磁性较弱的La1-xSrxMn O3/Sr Ti O3薄膜进行了研究,并求出了相应的磁参数,证明了其对较弱磁性体系测量的可行性与有效性。研究者们此前对反铁电材料结构的认识主要集中在介观尺度,而缺乏微观层面的了解。我们利用球差校正STEM技术得到了反铁电材料铌酸银的HAADF图像,发现其阳离子在相反的两个±[11—0]c方向存在位移并形成波浪状的（11—0）c原子面,并发现了90°反铁电畴壁和反相畴界两类典型缺陷。结合漫散射线我们发现B位铌离子在±[001]c方向上也存在位移并形成了一系列位移微区,其典型尺度约为10nm。每一微区中铌离子的±[001]c位移方向相同,且最大位移量约10pm。在此基础上,我们定义了基于实验图像的约化反铁电序参量,其适用于以铌酸银为代表的一系列复杂氧化物体系。我们借助寻峰和高斯拟合技术得到了钽元素掺杂前后铌酸银的约化反铁电序参量,发现掺杂后体系的约化反铁电序参量小幅下降。接下来在唯象理论的框架内,我们论证了反铁电序参量的增加和顺电相电容率的降低均能有效提高储能密度,而钽元素掺杂使得体系储能密度提高的主要原因则是掺杂后高温顺电相的电容率显著减小。最后在以上分析工作的基础上,我们给出了一种设计高性能静电储能材料的思路。