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铝硅合金具有低密度、低热膨胀系数以及良好的导热性能,是一种比较理想的航天器光机结构材料。保证星载探测器成像质量要求光机结构具有高太阳吸收率,同时航天器稳定在轨飞行又要求表面结构材料具有导电性,因此在铝硅合金表面制备导电型高太阳吸收率涂层具有广泛的应用价值。本论文将微弧氧化技术(MAO)与磁控溅射技术(MS)相结合,在铝硅合金表面制备导电型高太阳吸收率涂层,系统研究了工艺参数对涂层性能与结构的影响规律,为航天器消杂光材料选材提供理论和技术支持。采用微弧氧化技术在铝硅合金表面制备了高太阳吸收率涂层,研究了电解液组成、电流密度、电源频率及占空比等微弧氧化工艺参数对涂层吸收率的影响规律,采用XRD对涂层晶型结构及组成进行了分析。结果表明,当电解液组成为六偏磷酸钠、硅酸钠、氢氧化钾和偏钒酸钠,其浓度依次为30g/L、20 g/L、6 g/L和10 g/L,电流密度为10 A/dm2、电源频率为500 Hz及占空比为20%-30%-20%时,制备的涂层具有最高的太阳吸收率0.965。XRD分析结果表明偏钒酸钠添加剂的加入,成功在涂层中引入了具有高太阳吸收率的VO,进而提高了涂层的太阳吸收率。为了进一步提高微弧氧化涂层的导电性能,采用磁控溅射技术在微弧氧化涂层基底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了溅射压强、溅射功率、基底温度、溅射时间等工艺参数对复合涂层微观形貌及导电性能的影响。结果表明,当溅射压强为0.1 Pa、溅射功率为300 W、基底温度为200℃、溅射时间为120 min时,复合涂层的导电性能最佳,方块电阻为10.3Ω/sq,且复合涂层的太阳吸收率为0.957,相较于微弧氧化涂层太阳吸收率下降0.008,涂层导电性能得到大幅提高。