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本文主要针对反应烧结碳化硅的磨削实验及磨削机理进行研究。借助于多种表征手段和测试方法对磨削后反应烧结碳化硅陶瓷的表面/亚表面形貌进行研究，分析磨削工艺参数对材料表面粗糙度、材料硬度以及表面/亚表面结构的影响。
通过调整工作台转速、磨削深度和光磨时间等参数，研究参数对磨削后SiC表面粗糙度Ra、磨削效率、表面形貌和亚表面微观结构的影响。
研究发现，碳化硅陶瓷去除机理是以脆性去除方式为主，其具体形式包括晶粒去除、材料剥落、脆性断裂等等。