近几年，纳米孔传感器在基因测序领域的应用取得了重大进步，特别是固态纳米孔在材料选择、稳定性、易集成等方面优势，成为近些年纳米孔测序技术的主流发展方向。虽然目前在单个纳米孔制备领域已经较为成熟，但对于满足基因测序商业化应用的纳米孔阵列制备还存在不少挑战。　　针对目前固态纳米孔阵列的制备问题，本文基于电介质击穿法，通过限制施加在绝缘薄膜上的电场作用范围，来进行固态纳米孔的定位制备，提供了一种用来实现纳米孔阵列制备的新思路。本文构想出了通过缩小电解质溶液与制孔薄膜的接触面积，来实现电场作用范围的控制，进而限制了纳米孔的制备位置。根据理论分析设计出了研究方案，并根据实验的需求搭建了一套可以进行纳米级定位操纵以及纳米孔自动制备的实验平台。　　最后，实现了在氮化硅薄膜上的微米级区域内纳米孔的定位制备，并且利用本方法制备的纳米孔研制出了二硫化钨纳米孔制备芯片。