近几年,金属氧化物薄膜晶体管（Thin Film Transistors,TFTs）由于其卓越的电学和光学性质,在显示和透明电子器件领域受到了极大的关注。关于氧化物薄膜晶体管的文献报道主要为n型氧化物TFT,p型氧化物TFT研究较少。p型材料的缺失限制了薄膜晶体管在电子显示和全逻辑透明电路领域中的应用。目前p型氧化物TFT的报道主要集中于Cu₂O和SnO,制备方法大多采用复杂的真空物理沉积方法,得到的器件性能也不够理想。本论文采用溶液法制备了p型Ni O和Cu₂O薄膜,并研究了不同退火温度对薄膜结晶度、表面形态以及电学性质的影响。采用溶胶凝胶法制备了NiO薄膜,在空气中对薄膜进行退火,结果表明:不同退火温度制备的薄膜均没有结晶;粗糙度随温度升高逐渐变大;500 oC条件下制备的NiO薄膜具有最好的导电性。利用溶胶凝胶法制备Cu₂O薄膜,进行不同温度的真空退火处理,结果表明:真空退火将CuO还原成Cu₂O;高温退火增强了Cu₂O的结晶度;600 oC制备的薄膜导电性最好。在n型SiO₂/Si衬底上制备了Cu₂O-TFT,通过测试可得600 oC条件下制备的TFT得到最好的电学性质:开关电流比为1.6×104,场效应迁移率为0.29 cm2V-1s-1,阈值电压为-3.2 V,亚阈值摆幅为0.8 V/dec。