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作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO在短波长光电子器件领域具有广泛的应用前景,但ZnO要作为光电器件应用必须获得性能良好的p型ZnO材料,并实现ZnO同质p-n结。为了进一步提高其载流子的传输性能,构筑“p型ZnO纳米颗粒/n型ZnO纳米棒”这样一种结构的ZnO同质结更具有重要的意义。本文以此为核心,展开对p-ZnO以及“纳米颗粒/纳米棒”结构的制备和研究。采用溶胶中掺Ga3+和等离子体活化NH3气分子的方法制备ZnO:(Ga,N)薄膜,并以此为种子膜,外延生长ZnO纳米棒,构筑ZnO纳米同质p-n结。通过对掺杂薄膜及纳米棒的XRD, SEM,光吸收(Abs),光致发光(PL),电致发光(EL), Hall效应等研究表明:随着Ga3+掺杂量的增加,薄膜晶化程度逐渐下降,晶粒尺寸不断减小;同时Ga3+的掺杂还使薄膜的光学带宽减小,紫外发光强度下降;当Ga3+含量为0.6at%时成功制备了p型ZnO:(Ga,N)薄膜,在其上外延生长的纳米棒具有很好的晶化程度和取向性;通过ZnO同质p-n结的电致发光测试,当激发电压为10V时,初步获得了456nm处的蓝光发射,这为以ZnO同质结为基的光电器件的发展提供了依据。为了增强对纳米点/纳米棒结构的可控性,采用溶胶中掺Li+的方法制备ZnO:Li薄膜,同样以此为种子外延生长ZnO纳米棒,构筑ZnO纳米颗粒/棒结构。研究了在薄膜中掺杂Li+对ZnO纳米棒阵列性能的影响。结果表明:在Li+掺杂提高了薄膜晶化程度、晶粒尺寸和发光强度的前提下,其对纳米棒阵列的晶化程度、取向性和超疏水性也起到了明显的改善作用,尤其值得提出的是这种掺杂使ZnO纳米棒的紫外发光强度显著提高,这对制备单一紫外发光的纳米棒阵列具有十分重要的意义。