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近年来，GaN以其优异的光电性质而被广泛应用于短波长光电器件、全色发光显示器、光探测器、高电子迁移率晶体管和大功率电子器件。但是由于缺乏高质量大尺寸的体单晶作为衬底，通过MOCVD在蓝宝石或SiC衬底上异质外延制备的GaN薄膜尺寸较小，一般直径不超过2英寸，而且价格昂贵。非晶GaN由于结构的无序性，不需要晶格匹配的衬底，因而在大面积显示器件中具有非常大的应用前景。作为一种高效的大面秋薄膜制备方法，磁控溅射早在10年前就已经被应用于GaN薄膜的制备。但常规的n型掺杂剂Si，由于