低维体系是当今材料科学和凝聚态物理领域关注的焦点之一。一维材料具有比二维材料更为显著的量子限域效应,这一特点也赋予了其更为突出和优异的物理化学属性。过渡金属硫化物纳米线作为典型一维结构,与单纯半导体性的层状2H相过渡金属硫化物不同,其既可为半导体性,亦可呈金属性,其电子性质取决于材料中硫族元素的种类,利用这一特性有望实现全过渡金属硫化物纳米线电子电路。系统研究过渡金属硫化物纳米线的物性可为低维材料设计和器件构筑提供理论指导。本文主要开展了如下工作:（1）利用第一性原理计算,系统研究了10（?）～16（?）直径范围（n,0）型碳纳米管（CNT）包覆的过渡金属硫化物纳米线（TMCNW）X6Y6（X=Mo,W;Y=S,Se,Te）的稳定性和电子性质。计算结果表明,由于CNT的保护作用,所有TMCNW都可稳定地存在于特定的碳纳米管中。对TMCNW,尽管受到CNT的影响,其仍然能够保持本征电子性质。此外,我们还发现CNT与TMCNW之间存在电荷转移现象。通过分析复合结构的电荷转移,我们发现在含碲元素的复合结构中,电荷从TMCNW向CNT转移,而在未含碲元素的复合结构中,电荷从CNT向TMCNW转移。这些研究成果揭示了碳纳米管中TMCNW的稳定性及其电子性质,可为TMCNW在实际应用中的进一步发展提供理论指导。（2）采用第一性原理计算方法,系统研究了弯折构型Mo6S6的电子性质。计算结果表明,Mo6S6弯折结构都呈现出异于直线Mo6S6纳米线的半导体性,且不同长度弯折型Mo6S6的带隙不同。有趣的是,通过能带折叠理论可预测出弯折型Mo6S6的带隙,且预测值与实际计算的带隙值十分接近。此外,还研究了应变对弯折型Mo6S6纳米线的电子性质的影响。结果表明长的弯折型Mo6S6纳米线在施加不同应变后,其带隙值的变化幅度不大,说明弯折型Mo6S6纳米线具有较好的电子稳定性。通过分析Mo-Mo键在应变下的键长变化情况,可对弯折型Mo6S6纳米线的电子稳定性进行解释,且该稳定性会随着弯折型Mo6S6纳米线长度的增加而愈发明显。本章的研究结果表明,可通过弯折处理打开金属性Mo6S6纳米线的带隙,而弯折型Mo6S6纳米线在应变下的电子稳定性表明其是构建柔性纳米器件的理想材料,从而可拓展Mo6S6纳米线在微纳器件领域中的应用。