无铅铁电薄膜的抗电离辐射性能研究

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【摘要】

：

铁电存储器具有高的读写速度、低功耗、抗辐射、非易失性以及与现有集成电路技术的良好兼容性,因此被认为是最有潜力的下一代存储器。铁电材料优良的抗辐射性能使其特别适合应用于航天领域方面。然而目前对铁电材料抗辐射性能的研究主要以锆钛酸铅(PZT)为主,对钕掺杂钛酸铋Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNT)无铅铁电薄膜抗辐射性能的研究鲜有报道,这严重制约了BNT铁电薄膜的应用。基于

【作者】

：

时群吉

【机构】

：

湘潭大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

铁电薄膜电离辐射粗糙度铁电性能

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