随着现代高速电子产品集成度不断提高,EMI辐射、信道间耦合串扰等EMI问题成为新型电子设备设计中的一个瓶颈问题。其中EMI辐射不仅会降低周围电路系统的信噪比,影响电子产品的正常工作,还可能引起电磁环境污染,使产品难以通过相关检测。芯片封装技术将芯片内IC连接到外部器件,在EMI设计中扮演着越来越重要的角色。本研究围绕高速芯片封装中EMI辐射超标问题,分析了导致封装EMI辐射超标的风险项,并根据不同的风险项提出相应的解决方案。传统金属封装Lid可以与封装基板的电源/地平面之间形成谐振腔,造成EMI辐射超标。本文基于缝隙波导理论,利用EBG结构设计了一款新型封装Lid。为了更加有效的分析设计带有蘑菇状EBG结构的封装Lid,本文还提出了一维集总元件等效电路。该等效电路显示了新型封装Lid的几何尺寸与其EMI辐射抑制有效频段之间的关系,可以有效的指导封装Lid的设计。通过测试和仿真,该新型封装Lid可以有效抑制设计频段内空腔谐振,进而解决由封装Lid与封装基板谐振引起的EMI辐射超标问题。本文基于商用WB-BGA封装,探究了引起WB-BGA封装EMI辐射超标的风险项,并提出相应的解决方案。封装Lid、键合线和短路过孔是导致WB-BGA封装辐射问题的主要风险项。针对这些风险项我们提出了销钉状封装Lid、阻性短路过孔以及改进封装Lid接地形式等不同的解决方案。其中基于缝隙波导理论的新型封装Lid设计方案,不仅可以有效地抑制设计频段内的EMI辐射,还可以根据实际工程需要,通过改变相关几何尺寸来调节EMI辐射抑制的有效频段。