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GaSb/GaAs量子点结构被广泛应用于光纤通信中的近红外量子点激光器、中红外探测器以及光伏电池中。基于GaSb/GaAs量子点结构的量子点器件正在研制阶段，目前存在着对制备量子点设备要求高且制备出的量子点尺寸较大，密度较低，分布不均匀等问题制约着量子点器件的发展。本文的研究目的在于采用更接近产业化的MOCVD外延生长技术并利用三甲基镓（TMGa）和三乙基锑（TESb）为生长有机源在（100）晶面的GaAs衬底上制备GaSb/GaAs量子点，分别研究了生长温度、反应室压强和气相Ⅴ/Ⅲ比三个MOCVD生长参数以及快速生长时间、中断时间和生长MO源交替通入生长的循环次数三个生长过程因素对GaSb/GaAs量子点生长的影响，总结量子点的生长规律，进而制备出高密度，低尺寸，分布均匀的GaSb/GaAs量子点。通过研究发现在MOCVD生长参数中生长温度对GaSb/GaAs量子点生长的影响最为明显，其中量子点的密度随温度的升高先上升后下降，在500℃时量子点的密度达到最大，小岛的平均直径d=32.2nm，平均高度h=3.6nm，密度为3.5×1010cm-23.5×1010cm-2。压强对量子点的密度影响较大，当压强由100mbar升高到400mbar时量子点密度由1.6×1010-2升高到6.0×1010cm-2。而气相Ⅴ/Ⅲ比对生长的影响只有当Ⅴ/Ⅲ>1时由于生长模式的转变，量子点的尺寸增高，密度明显下降，Ⅴ/Ⅲ<1时，其对量子点的生长无明显影响，量子点的平均直径为26.4nm，平均高度为2.5nm，密度为5.8×1010cm-2。研究发现只有当量子点在SK1模式生长区时才能制备出尺寸均匀，密度较高的量子点。当快速生长时间在6s时，量子点处在SK1模式生长区量子点的平均直径为20.5nm，平均高度为4.1nm，密度约为7.5×1010cm-2。随着快速生长时间的延长，量子点的尺寸增大且分布不均，密度降低，并且出现各向异性的生长。而中断时间对量子点的尺寸和密度没有显著的影响，当中断时间由10s延长至20s时，量子点的平均直径由27.3nm升高到38.3nm，平均高度由7.3nm降低到5.2nm，密度由8.4×1010cm-2降低到6.2×1010cm-2。交替生长的循环次数对量子点的生长有显著的影响，当循环次数增加时，量子点密度会增高，由1.6×1010cm-2提高到8.4×1010cm-2，尺寸的均匀性得到明显提升。