【摘 要】
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1.用DLTS方法详细地研究了Ge量子点的载流子俘获过程.通过改变DLTS的反向偏压和脉冲高度,观察到了费米能级的高度对量子点空穴能级俘获和发射载流子的影响.2.分别对于不同覆
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1.用DLTS方法详细地研究了Ge量子点的载流子俘获过程.通过改变DLTS的反向偏压和脉冲高度,观察到了费米能级的高度对量子点空穴能级俘获和发射载流子的影响.2.分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电热分布发生变化,从而导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变化,通过变偏压的导纳谱测试,可对测试结果做出正确的判断.
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