YIG薄膜及BaTiO3-YIG磁电复合薄膜的制备与性能研究

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钇铁石榴石铁氧体(Y3Fe5O12)是一种室温以上具有广泛应用的亚铁磁性材料。由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗,不仅应用于现代电子工业及信息产业的微波器件中,如环形器、谐振器、隔离器等,而且在波导领域、光学器件的集成领域和磁光存储领域都拥有诱人的发展前景。YIG薄膜性能的好坏将直接影响器件性能,选择合适的实验方法,制备出高质量YIG薄膜对提高器件性能具有非常重要的意义。本文应用射频磁控溅射法在Nb-SrTiO3基片上制备了 Y3Fe5O12(YIG)铁磁薄膜和BaTiO3铁电薄膜,以及两种不同沉积顺序的YB(先沉积铁磁性)和BY(先沉积铁电相)2-2型磁电复合薄膜,系统的了溅射参数对铁磁薄膜、铁电薄膜和磁电复合薄膜的相组成、显微结构、磁性能和电性能的影响。主要研究了以下几方面:1、磁控溅射制备薄膜样品,溅射功率、衬底温度、氧氩比和溅射气压都会对薄膜的结晶性及各项性能产生影响,实验表明,制备YIG薄膜的最佳实验参数为:溅射功率150 W-180W,衬底温度500℃,氧氩比0:10,溅射气压1 Pa,退火温度 750 ℃。2、氧氩比为0:10时,薄膜化学成份最接近靶材化学计量比,薄膜中存在Fe2+和氧空位,饱和磁化强度为139.3 emu/cm3。3、磁控溅射制备BaTiO3薄膜的最优条件是:衬底温度400 ℃、氧氩比5:1、退火温度650 ℃。沉积薄膜的铁电性较好,剩余极化强度(pr)约为5.74 μC/cm2,矫顽电压(Ec)约为238kV/cm。4、利用XRD分析了不同沉积顺序BY和YB型磁电复合薄膜的晶体结构,除了基片衍射峰外,均由BaTiO3铁电相和YIG铁磁相组成,没有杂相生成。YB型结构中YIG铁磁层有微弱的(400)取向生长。5、先沉积铁电相的BY型复合薄膜比YB型复合薄膜具有更大的饱和极化强度和剩余极化强度,但相对于单相铁电薄膜BaTiO3有所下降;两种结构的复合薄膜都比单相BaTiO3薄膜的漏电流密度大;先沉积铁磁相的YB型复合薄膜拥有较高的饱和磁化强度,这与YB结构中铁磁层YIG薄膜(400)取向生长有关。6、YB磁电复合薄膜在外加磁场的作用下,介电常数和损耗均随磁场的增加而减小,损耗峰随磁场的增加向低频方向移动。
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