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随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世,具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅光敏性好,光暗电导比高,而且跟非晶硅相比,其光电导在长时间光照下的衰减要小得多。更为重要的是由于薄膜中纳米晶粒的量子尺寸效应,使得我们能够通过改变工艺参数调节晶粒大小和晶化度来控制其光学带隙,从而实现薄膜渐变带隙的能带工程设计。本论文主要采用射频磁控溅射的方法研究了纳米硅薄膜的制备工艺,在玻璃和单晶硅衬底上分别制备出高质量的纳米硅薄膜,并且对纳米硅薄膜的量子特性,光电特性