碳纳米管(CNT)以其卓越的电学、热学和力学性能成为当前纳米技术领域研究的热门材料,然而由于CNT与电极间的接触电阻过高成为阻碍其应用重要因素。因此,通过金掺杂CNT以降低其与电极间的接触电阻,提高CNT其与金属电极间的导电性具有重要的研究价值。采用高温氢气还原法和无电沉积法对CNT进行金掺杂。将CNT放到硝酸中氧化回流,对CNT构造缺陷。高温氢气还原法是通过把酸氧化后的CNT浸泡在含有金离子的氯金酸溶液中吸附金离子,然后在高温下通入氢气将金离子还原为金原子;无电沉积法是通过将酸氧化后的CNT放入柠檬酸钠和氯金酸制成的金溶胶悬浊液中一段时间,成功将金纳米颗粒沉积到CNT上。将掺杂前后CNT样品用介电电泳法组装到金电极两端,进行接触电阻的测量。研究结果表明,经硝酸氧化后CNT管壁形成了羧基、羰基等含氧基团构成的缺陷,使其杂乱程度变高;高温氢气还原法和无电沉积法均完成了金对CNT的掺杂,且掺杂上的金纳米颗粒分布较为均匀,两种掺杂方法的掺杂类型均为P型掺杂,两种方法的掺金量分别为0.18%和0.24%;高温氢气还原法和无电沉积法金掺杂CNT的样品比原样CNT的接触电阻值分别平均降低了69.20%和71.49%。通过金掺杂CNT能有效降低CNT接触电阻,对CNT在纳米电子领域的研究和应用提供一定的借鉴。