随着经济快速发展，大气污染日益严重。关于气敏传感器的研究越来越多。金属氧化物半导体是非常好的气敏材料，具有很高的灵敏度，但是它的工作温度比较高。将金属氧化物进行低维化处理，形成纳米结构，对降低工作温度是十分有效的。多孔硅是另一种非常优秀的气敏材料，工作在常温下，但是灵敏度比较低。将金属氧化物和多孔硅复合起来形成新型结构十分有研究价值。　　本研究制备了两种复合结构：一是氧化铜/多孔硅复合结构，二是氧化铜/氧化钨/多孔硅三级复合结构。采用了物理方法制备这两种复合结构，同时研究了不同的工艺参数对复合结构的形貌和气敏性能的影响。主要包括溅射时间、热处理温度、热处理压强、热处理氛围等因素。为了更好的表征复合结构，采用了多种微观表征手段，比如场扫描电子显微镜、透射电子显微镜等等。为了探测气体的气敏性能，采用了气敏测试系统。全面详细的测试了两种复合结构的灵敏度、响应/恢复时间、工作温度、选择性等气敏特性。通过最佳制备参数得到的氧化铜/多孔硅复合结构具有良好的气敏性能。工作温度为室温，对于1ppm的NO2的灵敏度达到了7.8，响应/恢复时间为51s/547s。氧化铜/氧化钨/多孔硅结构在室温下对于1ppm的NO2的灵敏度达到了3.9，均表现出良好的气敏性能。对气体的气敏机理也进行了研究，主要是两种不同的异质结：同型异质结和反型异质结在提高灵敏度方面的作用。