SiC MOSFET雪崩耐量若干问题研究

来源 :浙江大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wynneyehui

【作者】

：

王俊杰

【机构】

：

浙江大学

【出处】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2019年期

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