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ZnO由于大的禁带宽度(3.37eV)和室温下高的激子束缚能(60meV)而被认为做为紫外发光器件最有潜力的材料之一。CdO禁带宽度为2.3eV,它与ZnO形成的CdZnO合金半导体则是应用于可见发光的潜在材料。本文研究了硅基Zn0(CdZnO)薄膜的发光性质；在此基础上,制备了电致发光器件,对器件的电致发光性能进行了研究。本文得到的主要结果如下：1.利用直流反应溅射法在Si衬底制备ZnO薄膜,研究了ZnO薄膜经不同条件的快速热处理后的光致发光。结果表明：经Ar气氛下800℃快速热处理后的ZnO薄膜比在O2气氛下800℃快速热处理的ZnO薄膜显示出更强的近带边发光。然而,后者再经过Ar气氛下低温60℃热处理后,其近带边发光强度则可与前者的相比拟。分析认为,ZnO薄膜经氧气氛下快速热处理后在其表面存在吸附的氧离子,它们对近带边光致发光不利。2.以直流反应溅射法制备的ZnO薄膜做为半导体层,以射频反应溅射法制备的SiO2做为绝缘层,在重掺N型硅衬底上制备基于ZnO的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的发光器件。当SiO2厚度约为12nm时,器件在一定的正偏压下产生随机激射,而当SiO2厚度小于～9 nm时,器件仅产生自发辐射的电致发光。因此,只有当SiO2厚度足够厚时,高浓度的载流子才会限域在ZnO/Si02界面附近,从而为随机激射创造条件。3.利用射频反应溅射制备CdZnO薄膜,研究热处理条件对薄膜晶体结构、表面形貌及光致发光的影响。研究发现：随着快速热处理温度的提高与时间的延长,CdZnO薄膜表面由于Cd的挥发加剧而形成更多的空洞,薄膜的近带边光致发光则发生蓝移。以CdZnO/Si02(MgO)/P+-Si为结构的器件在足够大的正向偏压下产生源于CdZnO带边辐射的电致发光。