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本文主要研究应用阴极真空电弧沉积技术在硅片上沉积纳米晶氮化锆、在硅片和石英玻璃上沉积氧化锆薄膜。在研究中,主要探讨分别改变反应气体流量和基底偏压对氮化钛、氮化锆薄膜的组成、结构及性质的影响。以X光绕射法来决定薄膜的晶粒大小,其结果小于15nm。从AFM和SEM的结果也显示出沉积制备出的薄膜为纳米晶薄膜。氮化锆中N/Zr比率随氮气流量从0.6改变至0.9,氧化锆中O/Zr比率随氧气流量改变随着O_2流量的增加其O/Zr的值逐渐增大,O_2流量为50sccm时沉积得到的ZrO_2薄膜中O/Zr的值大约为