利用电注入着色技术,首次对掺氢氧根溴化钾多晶电注入着色,在着色多晶中产生大量色心。对着色多晶进行光谱测量和系统光谱分析,并提出色心产生和转化机理。借助电流～时间曲线,对色心产生过程和机理作出进一步解释。在电注入前多晶吸收光谱上观测到O-、OH-、U、Cu+和心吸收光谱带,利用Mollwo-Ivey图,确定出溴化钾基质中心室温吸收光谱位置。用点阴极电注入,在掺氢氧根溴化钾多晶中产生大量V2、V3、Cu+、、I-2、I2和F心。因掺氢氧根溴化钾多晶中含有大量氢氧根离子,用传统电注入方法,不可能将掺氢氧根溴化钾多晶经点阴极电注入着色。是本实验装置的独特石墨颗粒阳极阵列,以及采用恰当注入温度及电压,使V心首先在阳极附近多晶中产生。通过吸收光子,V心转化为F心,所以V心是电注入过程中的原型心,而不是以往普遍认为的F心。由电流～时间曲线可知,各区域电流皆由离子运动和卤离子与阳极阵列交换电子构成.据此解释曲线中各区域形成机理及其与色心产生的密切关系。通过多次研究,获得着色效果最好的条件为温度435 oC、电压DC 900V和时间100 min。用点阳极电注入,在掺氢氧根碘化钾多晶中产生大量V2、V3、Cu+、、I-2、I2和F心。与用点阴极电注入情况类似,这里F心也是V心经光照转化而来。对经点阳极电注入掺氢氧根溴化钾多晶着色机理提出解释。给出电流～时间曲线,其中各电流区域形成机理与经点阴极电注入情况基本相同。