铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论:　　(1)研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低-高热处理形成的洁净区宽度随铜引入温度的升高而变窄;Ramping-低-高热处理能有效的保持洁净区宽度，洁净区有较好的稳定性。　　(2)研究了气氛对氧沉淀和洁净区的影响。结果表明，相比Ar气氛，N2气氛能更有效地促进氧沉淀的生成。在Ar气氛下进行Ramping-低-高热处理，洁净区宽度基本不受铜玷污的影响，具有良好的稳定性，而在N2气氛下进行Ramping-低-高热处理，洁净区宽度随着铜玷污温度的升高逐渐遭到破坏;样品在Ar气氛下进行RTP-低-高热处理，洁净区宽度随铜玷污温度的升高而变窄。而在N2气氛下进行RTP-低-高热处理，其洁净区宽度基本不受铜玷污的影响，具有良好的稳定性。　　(3)氧沉淀核心消融处理对氧沉淀生成和分布的影响。结果表明，在750℃/6h热处理后进行消融热处理，无法完全消除氧沉淀核心，N2和O2气氛下处理的硅片中有雪花状体微缺陷生成;引入铜玷污后由于铜沉淀和铜氧沉淀复合体的生成使得其体微缺陷密度增大并且棒状体微缺陷进一步粗化。