我们研究的是铁磁/半导体/铁磁异质结模型,铁磁/半导体交界面处存在δ势垒,外加不对称电场使半导体中存在Rashba自旋轨道耦合。我们在考虑δ势垒、Rashba自旋轨道耦合、铁磁体磁矩方向的情况下利用散射矩阵的方法计算了隧穿铁磁/半导体/铁磁异质结的自旋电子的透射概率和渡越时间,主要结论如下:　　 1.考虑了δ势垒对自旋电子隧穿性质的影响。Δ势垒的存在改变了自旋电子的透射概率的位相。随着δ势垒强度的增加,自旋电子的透射概率呈下降的趋势。　　 2.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加强了自旋电子透射概率的振荡频率。自旋向上电子的渡越时间随着Rashba自旋轨道耦合强度的增加而延长:自旋向下电子的渡越时间随着Rashba自旋轨道耦合强度的增加而缩短。　　 3.在两端铁磁电极磁矩平行或反平行的情况下,自旋电子的透射概率随半导体长度的变化图像表现为等幅振荡,其它情况下自旋电子透射概率做非等幅振荡。自旋电子的渡越时间随着半导体长度的增加而延长。