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随着纳米科技的发展,一维半导体纳米材料的研究与应用越来越引起更为广泛的关注。SiC基—维纳米材料不仅集中了SiC和—维纳米材料的优点,还在电磁、光、热和机械性能等方面有着优异的性质,在复合材料、电子器件等领域极具发展潜力。SiC纳米异质结材料在继承SiC—维纳米材料的优点的基础上,又集合了其它材料的优异性质,进一步拓宽了其应用领域。因此,研究SiC—维纳米材料和SiC纳米异质结的合成及性质具有深远意义。本论文通过围绕SiC纳米异质结的可控生长展开研究,以研制新颖的异质结构为目标,利用化学气