要实现铜在芯片上微米或亚微米级刻槽中的超等角电沉积填充，采用的酸性硫酸铜镀液电解液中添加剂是必不可少的，其中3-(二乙基氨基)-7-[[4-(二甲基氨基)苯基]偶氮]-5-苯基吩嗪翁氯化物（JGB）、聚乙二醇（PEG）以及氯离子（Clˉ）是常用的添加剂组合，但是它们对Cu的电沉积和电结晶过程还理解不完全。本论文采用循环伏安法（CV）、线性电位扫描法（LSV）、Tafel极化曲线和计时安培法（CA）研究了在CuSO4-H2SO4体系中，添加剂JGB、PEG、Clˉ及其协同作用对铜在玻碳电极（GCE）上的电沉积以及电结晶过程的影响。CV和LSV研究结果一致表明：JGB阻化铜电沉积，并且其阻化作用随着JGB浓度的增加而增强；同时添加JGB和Cl-（JGB-Cl-）、JBG和PEG（JGB-PEG）、JGB、PEG和Cl-（JGB-PEG-Cl-），对铜电沉积的抑制作用增强；Tafel极化曲线从动力学角度解释了它们对铜沉积具有阻化作用的原因。CA研究结果表明，JGB以及JGB-Cl-和JGB-PEG、JGB-PEG-Cl-中的JGB在一定浓度范围内，可以提高铜的电结晶速度及铜的成核数密度。不过，它们不改变铜的成核机理，仍然按瞬时成核和三维生长方式进行。