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由于全球能源短缺,太阳能作为一种可持续发展的能源,越来越受到全球的关注,世界光伏产业正处于蓬勃发展时期。随着多晶硅以及有机硅需求总产量的逐年增加,副产物四氯化硅的安全环保问题日益突出。未经处理回收的四氯化硅是一种具有强腐蚀性的有毒有害液体。因此对废液四氯化硅的处理成为制约多晶硅以及有机硅发展的瓶颈。四氯化硅电化学还原制备多晶硅可以在常温、常压下进行。钛镍铌合金和镍作为工作电极,石墨作为参比电极,饱和甘汞为参比电极,碳酸丙烯酯为溶剂,四丁基氯化铵为支持电解质,在恒电位下电化学还原四氯化硅。镍（Φ18mm）基（0.5mol/LSiCl4+0.1mol/L TBACl）循环伏安曲线,扫描电位区间-5v5v,扫描速度为20mv/s,峰电位-2.627v;扫描速度为2mv/s,峰电位-2.17。当电解液体系一定,扫描速度越快,峰电位向负电位移。扫描速度为50mv/s,扫描电位区间-4v～4v。镍（Φ18mm）基在30mlPC溶液中:（0.6mol/LSiCl4+0.1mol/L TBACl）循环伏安曲线,峰电位- 2.569v ,峰电流密度- 5.283mA/cm2 ;（0.8mol/LSiCl4+0.4mol/L TBACl）循环伏安曲线,峰电位-2.568v,峰电流密度-15.205mA/cm2。电极一定、扫描速度一定,溶质浓度大,峰电流密度大。钛镍铌合金（40:30:30,wt%;Φ10mm）在15mlPC溶液（含5gTBACl）+20mlSiCl4中循环伏安曲线。扫描速度20mv/s,峰电流密度-6.600mA/cm2;扫描速度50mv/s,电流密度-6.807mA/cm2。当溶液一定时,峰电流与扫描速度的平方根成正比,即扫描速度快,峰电流就大。镍（Φ18mm ）为工作电极, 30mlPC , 0.5mol/L SiCl4 ,0.4mol/LTBACl。SiCl4在恒电位-2.5v电沉积。电沉积4h、2h、1h时,硅膜的厚度0.4μm、0.1μm、小于0.1μm。钛镍铌（Φ10mm）为工作电极,15mlPC,20mlSiCl4,5gTBACl。SiCl4在恒电位-2.398v电沉积。电沉积4h、2h时,硅膜的厚度2.4μm、0.5μm。