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反应烧结氮化硅结合碳化硅是在窑具、冶金等行业中广泛使用的优质耐火材料之一，本论文针对反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷坩埚、升液管等的成型，通过颗粒级配和等静压成型提高SiC／Si坯体的体积密度，从而提高材料烧结后的体积密度，降低材料的气孔率。主要研究内容和结果如下： 1．研究了只有粗细两种主要尺寸的SiC体系的级配，细颗粒的平均粒径为0.1～0.4mm，粗颗粒平均粒径为0.5～1.2mm。粗颗粒的含量在60％～70％左右时，体系的自由堆积密度较大；当粗细颗粒的尺寸比例大于3时，有较为明显的级配效果；体系的最大自由堆积密度随着粗颗粒粒径的增大而提高。 2．对有多种颗粒尺寸的SiC体系，应用Dennis R．Dinger对颗粒堆积现象的数值模拟结论指导实验，体系中粗颗粒（12目、24目和46目）的含量约占70％时堆积相对致密，自由堆积、预压和等静压后的相对密度分别可以达到54％、69％和70％。 3．对SiC/Si颗粒体系，由于硅细粉的含量较多，减弱了颗粒级配的效果，改变不同粒径SiC的含量对粉料的自由堆积密度、预压密度以及等静压密度影响不大；SiC颗粒中粗（12目、24目和46目）细（90目和180目）颗粒的含量比约为6:4时，SiC/Si体系的堆积相对致密：硅粉含量为25％的粉料经等静压后，坯体的体积密度相对干压的体积密度可提高5％左右，相对密度可达76％。 4．对烧结后试样的Ｘ衍射分析和扫描电镜分析表明，反应烧结氮化硅结合碳化硅材料的微观特征是SiC大颗粒被SiC细颗粒和反应生成的Si3N4所组成的基质部分包围，形成较强的机械结合。 5．用径向基函数神经网络模型对实验结果进行拟合和预测，得到基函数的宽度为0.555，隐层神经元的个数为21，训练集的拟合误差为0.22％，监控集的拟合误差为3.58％。此网络可以对SiC/Si颗粒体系在一定压力下（如60MPa）的体积密度做出较为准确的预测，预测值和测量值的误差不大于±2％；但对SiC／Si颗粒体系在自由堆积状态下的体积密度的预测误差较大，主要原因是该参数测量的系统误差较大。 6．SiC及Si颗粒的形状是影响体系堆积的一个重要的因素，对SiC颗粒二维轮廓的分形维数分析表明，其分形维数D约为1.07，表面粗糙度不大，表面结构也不复杂，因而SiC颗粒的表面形貌对体系堆积的影响不会很大。若要考虑SiC颗粒宏观形状对堆积的影响，则需对其作分数谐函数分析，表征颗粒宏观形状的主要特征。