近年来无线通信的迅猛发展推动了学术界和工业界对全集成无线收发机的研究。无线接收机射频前端一度被砷化镓、硅双极、BiCMOS等工艺主宰,但随着CMOS工艺特征尺寸的减小和工艺技术的不断进步,CMOS工艺应用于射频前端可达到较好的性能,所以全集成的CMOS无线收发机也已成为一个研究焦点。由于集成射频前端的发展需要经历一个过程,使得它和分立射频器件将在很长时期内同时存在。无线接收机的第一个有源模块是低噪声放大器,它要把从天线接收的微弱的信号进行放大,所以它的性能尤其是噪声系数将直接影响整机的效果。所以对CMOS低噪声放大器和分立低噪声放大器模块的研究具有一定的实用价值。本文分析了低噪声放大器的设计理论、噪声理论、CMOS工艺中的无源元件以及亚微米的MOS管结构。对螺旋电感的几何参数与Q值的关系进行了分析;基于TSMC 0.18um RF CMOS工艺设计了一种插入级间匹配电感的差分低噪声放大器,并对级联级栅宽的选择在传统方法基础上做了优化,仿真表明:在400M带宽内增益大于18.36dB、中心频率增益为19.99dB、噪声系数为1.49dB、输出1dB压缩点为10dBm、输出三阶交调点为19dBm;同时也对分立低噪声放大器进行了研究,并设计了两个分立低噪声放大器,其中一个是用分立器件匹配设计的窄带的低噪声放大器,另一个是用微带线匹配设计的宽带低噪声放大器,增益和噪声系数等参数达到了预期的目标。